Chap 7 Memory Basics⚓︎

内存⚓︎

内存 (Memory)由一系列存储单元与相应的逻辑电路组成，计算机中的内存包括两类：随机访问内存 (Random-Access Memory)与只读内存 (Read-Only Memory)。这两类内存都需要借助地址 (address)来实现对数据的读与写。其中，只读内存（即 ROM）的相关知识已经在 第五章 #ROM 中提及，本章主要讨论随机访问内存（即 RAM）。

组织架构⚓︎

内存组织架构 (Memory Organization)反映了内存中的数据是如何通过地址被访问的。

内存组织架构可以理解为一个数组，数组中以 word 为单位存储内存数据，地址则作为数组的索引，用于访问内存中的数据。换言之，内存组织架构可以描述为用多少数量的地址来访问多少数量的数据。下面给出几个内存组织架构的具体例子：

考虑一个 \(2^k\times n\) 的内存单元，\(k\) 表示地址的位宽，\(n\) 表示 word 的位宽。这个内存单元的示意图如下，其中，\(k\)-bit 的地址经过 decoder 译码，得到的 \(2^k\) 个输出分别与 \(2^k\) 个 word 形成唯一确定的连接，从而达到寻址的目的；每个 word 由 \(n\)-bit 组成，所以输入和输出也都是 \(n\)-bit 的。

基本操作⚓︎

内存中最基本的操作就是读 (read)操作和写 (write)操作，一些特殊的内存（比如 Flash）还有擦 (erase)操作。

上图展示了一个规范的读操作，其中：

• Memory enable 是使能信号，高电平代表内存使能，可以进行读写操作；
• R/W 是读写信号，高电平表示读操作，低电平表示写操作；

上图展示了一个规范的写操作，注意到：

• 地址必须在 R/W 信号下降沿之前确定下来（称为 valid），并在 R/W 信号上升沿之后再消失，这是为了确保写操作发生的过程中，地址始终是确定且不变的，以免写操作破坏到其他地址的数据；
• 待写入的新数据必须在 R/W 信号上升沿之后再消失，以免写入失败；

静态内存⚓︎

RAM 可以分为静态内存 (Static RAM, or SRAM)和动态内存 (Dynamic RAM, or DRAM)两种：

• SRAM：数据存储在锁存器 (latch) 中；
• DRAM：数据存储在电容中，以电荷量的形式存储；

SRAM Cell⚓︎

首先考虑一个 SRAM 的最小单元，即 SRAM Cell（下面简称为 RAM Cell），用于存储 1-bit 的信息。

这个 RAM Cell 是通过一个 SR Latch 实现的，当 select 置 0 时，表示 RAM Cell 未被使能，锁存器中的数据处于保持状态，输出恒为 1；当 select 置 1 时，锁存器中的数据由 B 端的输入信号决定，C 端输出锁存器中存储的数据。但是，现在这样一个简单的 RAM Cell 还无法实现真正意义上的读和写操作，还需要一些外部逻辑电路，详见 #SRAM Bit Slice。

SRAM Bit Slice⚓︎

利用若干个 RAM Cell，以及一些逻辑电路，可以设计出 SRAM Bit Slice。

下图中：

• 当 bit select 置 1 时，表示这个 SRAM Bit Slice 被使能，可以进行读写操作；
• word select 用于选择对哪一个 cell 进行操作，在同一个 slice 中，每次只有一个 cell 能被 word select 使能，即每次只能对一个 cell 进行操作；
  • 换言之，\(2^n\) 条 word select 中，只能存在至多一个置 1，其余均置 0；
• 读和写操作的逻辑电路如图所示，当 R/W 置 0 时，表示正在进行写操作；
  • 当写操作正常进行时，输入进来的新数据其实被总线输送给了所有的 cell，但只有被 word select 使能的那个 cell 才可以写入这个新数据；
  • 注意，对于这幅图而言，不论 R/W 置任何值，读操作都在正常进行；如果不想进行读操作，可以将 word select 全部置 0；

重合选择⚓︎

随着内存的扩大，一个 slice 中的 cell 数量不断扩大，寻址所需要的 decoder 的位宽不断扩大，输入总线的扇出也在不断扩大。但是，decoder 的位宽和输入总线的扇出都是有限的，很容易制约内存的扩大。下图为一个 \(16\times 1\) RAM：

一种有效的解决方法是重合选择 (coincident selection)，即使用两个 decoder，分别负责横向和纵向的寻址。下面使用 \(4\times 4\) 重合选择的 RAM 阵列 (\(4\times 4\) RAM Cell Array) 来实现 \(16\times 1\) RAM：

\(16\times 1\) RAM 中的 word 是 1-bit 的，所以图中每个 cell 都表示一个 word。而在设计具有更大位宽的 RAM 时，重合选择会稍有不同，注意观察下面这个例子和上面例子的区别：

字扩展与位扩展⚓︎

内存的容量由 word 的数量和位宽（即每个 word 由多少个 bit 组成）决定。要想扩展内存，可以从 word 的数量和位宽这两个角度进行：

• 字扩展（扩展 word 的数量）：将多个 RAM “并联”，并相应地扩展地址的位宽；
• 位扩展（扩展 word 的位宽）：将多个 RAM “串联”，并相应地扩展输入输出的位宽；

下面考虑用 \(64\text{K}\times 8\) RAM 扩展得到 \(256\text{K}\times 8\) RAM 和 \(64\text{K}\times 16\) RAM：

动态内存⚓︎

前面提到，动态内存是利用电容中的电荷来存储数据的。由于电容会慢慢漏电 (leak)，所以需要定期刷新 (refresh)电容（针对存储着高电平数据的电容而言，存储着低电平数据的电容本身就是低电荷量的，不需要刷新），才能确保存储着的数据不会失效，因此这种内存是动态的。

DRAM Cell⚓︎

DRAM Cell 和 SRAM Cell 基本类似，也拥有一个 select 使能端和一组输入输出端，唯一的区别在于存储器的不同。SRAM Cell 使用一个锁存器来存储数据，而 DRAM Cell 使用一个电容和一个晶体管来存储数据。

• 晶体管 T 可以视作一个开关，用来连接外部输入信号 B 和电容 C；
• 电容 C 用于存储数据，当电容为满（电荷量高于某一阈值）时表示高电平（如图 (b)），当电容为空（电荷量低于某一阈值）时表示低电平（如图 (c)）；

下面考虑 DRAM Cell 的读操作和写操作：

• 写操作：如图 (d) 写入高电平，如图 (e) 写入低电平；
• 读操作：如图 (f) 读取高电平，当 T 打开时，左侧输入端可以监测到一个电荷量的升高，这就代表读取到的数据是高电平；而相应地，右侧电容中的电荷量也有所降低；如图 (g) 读取低电平同理；
  • 不难发现，每次读操作都会稍微改变电容中存储的电荷量，因此对于每一次读操作，都要进行复位 (restore)，也就是将电容中的电荷量恢复到读操作之前的水平；

DRAM Bit Slice⚓︎

DRAM Bit Slice 和 SRAM Bit Slice 基本类似，前者的输出端会额外加一个放大器，从而将电荷量微小的变化转化成数字信号。虽然电路结构并没有本质差别，但两者实际的电路开销却区别很大。DRAM cell 含有一个电容和一个晶体管，而 SRAM cell 含有六个晶体管，所以 DRAM 的每 bit 的开销显著低于 SRAM，这也是 DRAM 在大型内存中被更加广泛的应用的原因。

DRAM 常用于大型内存，而在这些内存中，地址会变得很长（超过 20-bit），以至于 DRAM 的引脚数量不足以一次性接收这么长的地址。解决方法是将地址分成两部分串行的输入到 DRAM 里来，首先是 row address，然后紧接着是 column address（注意到这里也有重合选择的思想）。

下图中：

• 由于地址被分成两部分串行输入到 DRAM 里来，因此需要用 register 分别存储 row address 和 column address；
• RAS(Row Address Strobe) 和 CAS(Column Address Strobe) 用作 register 的载入信号，置 0 表示载入；
• 对于写操作，当 row address 选中某一行的时候，除了被写入的 cell 之外，这一行中的其他 cell 也被使能并进行了 restore 操作；
• 对于读操作，当 row address 选中某一行的时候，包括要读取的 cell 在内，这一行中的所有 cell 都被使能并进行了 restore 操作；
• refresh controller 和 refresh counter 模块负责实现 refresh 功能；

DRAM 类型⚓︎

为了追求更快的内存访问速度，一些特殊类型的 DRAM 也被设计出来。这里主要介绍以下三种 DRAM：

• Synchronous DRAM（即 SDRAM）：不同于 DRAM 的异步，SDRAM 增加了一个时钟来实现同步；
• Double-data-rate synchronous DRAM（即 DDR SDRAM）：与 SDRAM 基本一致，但同时利用了时钟的上升沿和下降沿来输出数据；
• Rambus^Ⓡ DRAM（即 RDRAM）：专利技术，用相对更窄的总线来实现极高的内存访问速度；

SDRAM⚓︎

下图是一个 \(16\text{MB}\) SDRAM：

• 为了适配 SDRAM 的同步特性，地址、输入、输出都需要使用寄存器；
• column address counter 是 SDRAM 的核心模块，后面我们将介绍它是如何工作的；

下面介绍 SDRAM 是如何实现读操作的。

• 首先这个 SDRAM 接收到 row address，并将 row address 指向的那一行的全部 \(2^{11}\) 个 word 全部读取出来，存放到 I/O logic 里，这一操作需要历时若干个时钟周期（下图中为 4 个时钟周期）；
• 然后这个 SDRAM 接收到 column address，并按照 column address 的指示从 I/O logic 中读取数据并输出，每个时钟周期输出一个 word；
• 注意，SDRAM 通常不会只读取并输出一个 word，而是会读取并输出一串连续的 word（即 burst read），这个操作由 column address counter 来实现；column address counter 中有一个关键参数，用于表示一次 burst read 需要读出多少个 word，称为 busrt length（下图中的 burst length 是 4）；
• 假设 \(t_{CLK}\) 为 7.5 ns，则 \(t_{RC}\) 为 60ns（8 个时钟周期），那么这个 SDRAM 的内存带宽 (memory bandwidth) 为 4 words / 60 ns = 66.67 MB/s；

DDR SDRAM⚓︎

DDR SDRAM 和 SDRAM 基本一致，但它从 I/O logic 中读取数据并输出的速度是 SDRAM 的两倍（内存带宽为 133.33 MB/s），因为它在时钟的上升沿和下降沿都会输出。以上面分析 SDRAM 的那幅图为例，同样的时间 \(t_{RC}\)，SDRAM 可以输出 4 个 word，而 DDR SDRAM 可以输出 8 个 word。

RDRAM⚓︎

RDRAM 使用 packet-based bus 来传输数据，也就是说数据以 packet 的形式被封装起来并进行传输。

• 总线 bus 中包含：
  • 3-bit row address bus
  • 5-bit column address bus
  • 16-bit 或 18-bit data bus
• 总线 bus 是同步的，且在时钟上升沿和下降沿都能响应；
• 数据包 packet 历时 4 个时钟周期来实现 8 次传输，所以每个 packet 中包含：
  • 24-bit row address packet
  • 40-bit column address packet
  • 128-bit 或 144-bit data packet
• RDRAM 利用 multiple memory bank 技术，使得不同 row address 的数据可以被并行地访问到 (concurrent memory accesses)；
• RDRAM 通过复杂的电路设计，可以将时钟频率变得很高，从而大大提高内存访问速度；

评论区